핵 내 물리적 장력(Tension) 변화가 유도하는 염색질 구조 재배열과 후성유전적 기억

염색질은 정적인 구조가 아니며, 핵 내의 물리적 장력(Tension) 변화에 의해 구조적 재배열이 일어나고, 이 과정이 특정 유전자좌의 후성유전적 기억을 유지하거나 재설정하는 핵심 메커니즘으로 작용합니다.

물리적 장력과 후성유전학적 연결

핵 내의 물리적 환경 변화(예: 세포 신호 전달에 따른 세포골격 수축)는 염색질 구조에 기계적 스트레스를 가합니다. 이러한 장력 변화는 크로마틴 리모델링 복합체의 활성을 유도하여 특정 히스톤 변형 패턴을 변화시키고, 결과적으로 유전자 발현의 상태(후성유전적 기억)를 재설정합니다.

• 장력 감지 및 구조 변화